|
جزئیات محصول:
|
| VBO: | 28-36 ولت | VBO نوع: | 32 ولت |
|---|---|---|---|
| بسته بندی: | شیشه DO-35 | IBO: | 100μA |
| تایپ کنید: | دیاک | نوع بسته بندی: | از طریق سوراخ |
| مواد: | سیلیکون | قدرت: | 150mW |
| برجسته: | دیود Diab Db3 Db3bl 100μA,Db3bl Diode 32V 100μA,db3 diac 32V 100μA |
||
|
شرایط آزمایشی
|
نمادها
|
مقدار
|
واحد
|
|||
| حداقل | نوع | حداکثر | ||||
|
ولتاژ شکست
|
C = 22nF
|
VBO
|
28 | 32 | 36 |
ولت ها
|
|
تقارن ولتاژ شکست
|
C = 22nF
|
I + VBOI-I-VBOI
|
-3
|
3 |
ولت ها
|
|
|
ولتاژ شکست دینامیکی
|
(یادداشت 1)
|
IDV ± من
|
5 |
ولت ها
|
||
|
ولتاژ خروجی
|
نمودار 2
|
VO
|
5 |
ولت ها
|
||
|
جریان شکن
|
C = 22nF
|
IBO
|
100 |
mA
|
||
|
زمان برخاستن
|
نمودار 3 |
tr
|
1.5 |
اماس
|
||
|
جریان نشت
|
VR = 0.5VBO
|
IB
|
10 |
mA
|
||
|
اتلاف برق در مدار چاپی
|
TA = 65 درجه سانتیگراد
|
پی دی
|
150 |
مگاوات
|
||
|
جریان پیک تکراری
|
tp = 20 میلی ثانیه
f = 100 هرتز
|
ITRM
|
2 | آ | ||
|
مقاومت های حرارتی از تقاطع تا محیط
|
RQJA
|
400 |
℃ / W
|
|||
|
مقاومت های حرارتی از محل اتصال به سرب
|
RQJL
|
150 | ℃ / W | |||
|
محل اتصال و محدوده دمای ذخیره سازی
|
TJ ، TSTG
|
125 | ℃ | |||
| نوع | ولتاژ شکن | حداکثرتقارن ولتاژ Breakover | حداکثرجریان پیک Breakover | حداکثرولتاژ شکست دینامیکی | حداکثراوج جریان حالت | بسته بندی | ||
| V | V | μA | V | آ | ||||
| حداقل | نوع | حداکثر | ||||||
| DB3 | 28 | 32 | 36 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB4 | 35 | 40 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB6 | 56 | 63 | 70 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB́8 | 72 | 80 | 88 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
تماس با شخص: Ms. Selena Chai
تلفن: +86-13961191626
فکس: 86-519-85109398
